[发明专利]利用磁性写线的MRAM的存储器无效
| 申请号： | 200380105441.8 | 申请日： | 2003-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1739166A | 公开（公告）日： | 2006-02-22 |
| 发明（设计）人： | 臧大化 | 申请（专利权）人： | 磁旋科技公司 |
| 主分类号： | G11C17/02 | 分类号： | G11C17/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于提供和使用一种磁性随机存取存储器的方法和系统。该方法和系统包括提供多个磁性存储器单元、第一组多条写线和第二组多条写线。该第一组多条写线是多条磁性写线。多条磁性线中的至少一条和第二组多条写线中的至少一条的每一条都承载用于写入多个磁性存储器单元的至少一个的电流。优选地，多条磁性写线具有软磁特性，并且优选地是磁性位线。对于磁性存储器单元中磁性隧道结堆叠，磁性位线优选地明显比磁性存储器单元的自由层厚，并且与磁性存储器单元的自由层紧密间隔。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 磁性 mram 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁性存储器，其包括：多条磁性存储器单元；第一组多条写线，所述第一组多条写线是多条磁性写线；和第二组写线，所述多条磁性线中的至少一条和所述第二组多条写线中的至少一条的每一条都承载用于写入所述多个磁性存储器单元的至少一个的电流。
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