[发明专利]具有双极横向功率晶体管的半导体部件

摘要

一种半导体部件，包括至少一个横向双极功率晶体管，其由具有共集电极区、基区和发射极区的至少一组单晶体管组成，其通过三个导体轨迹系统并联，该导体轨迹系统使每个单晶体管的发射极电流、基极电流和集电极电流集中在一起；且每个单晶体管都包括具有发射极接触的发射极－接触区、至少一个有源发射极区以及接触区与有源区之间的连接区的发射极区，具有基极接触的基极－接触区以及内部基极串联电阻的基区，以及集电极区，所述的内部基极串联电阻是包括至少两个环形段的结构化半导体区，其连接到基极－接触区和基极接触。

主权项

1.一种半导体部件，包括至少一个横向双极功率晶体管，其由具有共集电极区、基区和发射极区的至少一组单晶体管组成，其通过三个导体轨迹系统并联，该导体轨迹系统使每个单晶体管的发射极电流、基极电流和集电极电流集中在一起；且每个单晶体管都包括具有发射极接触的发射极-接触区、至少一个有源发射极区以及接触区与有源区之间的连接区的发射极区，具有基极接触的基极-接触区以及内部基极串联电阻的基区，以及集电极区，其特征在于：所述的内部基极串联电阻是由至少两个环形段构成的结构化半导体区，其连接到基极-接触区和基极接触。