[发明专利]在半导体互连结构上沉积金属层的方法有效
| 申请号： | 200380105587.2 | 申请日： | 2003-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1947236A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 桑德拉·马霍特拉;安德鲁·西蒙 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于在半导体晶片的互连结构上沉积金属层的方法。在该方法中，金属导体由介电层覆盖。构图介电层以暴露金属导体。然后衬里层沉积在图形上。然后氩溅射刻蚀该衬里层以去除衬里层并露出金属导体。在氩溅射刻蚀工艺中，衬里层重新沉积在图形的侧壁上。最后，附加层沉积在图形中并且覆盖重新沉积的衬里层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 互连 结构 沉积 金属 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在半导体晶片的互连结构上沉积金属层的方法，该方法包括以下步骤：(a)提供一种互连结构，该互连结构包括由介电层覆盖的金属导体；(b)构图所述介电层以形成暴露所述金属导体的开口；(c)在所述开口的壁和底部沉积衬里层；(d)溅射刻蚀所述衬里层以便暴露所述金属导体并且至少部分地在所述开口的侧壁重新沉积所述衬里层；以及(e)在所述开口的所述壁上沉积至少一个附加层并且覆盖所述重新沉积的衬里层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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