[发明专利]生单色X－射线的X－射线源无效
| 申请号： | 200380105605.7 | 申请日： | 2003-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN1723526A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | G·哈丁格 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J35/08 | 分类号： | H01J35/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;王忠忠 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种X－射线源，其包括：用于发射电子(E)的电子源(1)、响应于入射的电子(E)而发射特有的、基本为单色X－射线(C)的靶(4)和外耦合X－射线的外耦合装置(11)。为了获得具有高功率负荷率的特有的、基本上单色的X－射线，电子在厚度小于10μm的金属箔(5)上入射并且放置基底装置(7、12)，其中所述金属箔(5)的金属具有能够产生X－射线(C)的高原子序数，并且基底装置(7、12)主要包括的材料具有不产生X－射线(C)的低原子序数。外耦合装置适于在电子(E)入射的金属箔(5)侧面上外耦合X－射线(C)，金属箔的该侧面与基底装置(7、12)的侧面相对，因为在该侧面上几乎没有轫致辐射产生。 | ||
| 搜索关键词： | 单色 射线 | ||
【主权项】：
1、一种X-射线源，其包括：用于发射电子(E)的电子源(1)，响应于入射的电子(E)而发射特有的、基本为单色X-射线(C)的靶(4)，所述靶(4)包括厚度小于10μm的金属箔(5)和用于承载所述金属箔(4)的基底装置(7、12)，其中所述金属箔(5)的金属具有能够产生X-射线(C)的高原子序数，并且基底装置(7、12)主要包括的材料具有不产生X-射线(C)的低原子序数，和在金属箔(5)的侧面上外耦合X-射线(C)的外耦合装置(11)，在金属箔的该侧面上电子(E)入射，并且该侧面与基底装置(7、12)的侧面相对。
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