[发明专利]含氮化金属层集成电路装置的制造方法及集成电路装置有效
| 申请号： | 200380105641.3 | 申请日： | 2003-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1723554A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | R·格尔纳;H·奥伯梅尔 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文件是解释氮化钛层藉由湿式化学装置(106)被移除的方法。进一步金属化层是于该氮化钛层移除之后被制造(114)。结果是为集成电路装置是具有低电阻的连接。该电路装置特别适用于切换高功率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 金属 集成电路 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路装置(10)的制造方法，其中以下步骤是被执行：被中介层(12)覆盖的初始金属化层(12，18)是被制造，绝缘层(20)是于该初始金属化层(18)制造之后被敷设，该绝缘层(20)是使用干式蚀刻程序图案化形成至少一切口(26a)，该切口(26a)是使用湿式化学蚀刻程序或使用干式蚀刻程序被延伸，而来自该中介层(14)的物质是被移除于该切口(26a)区域中，至少一进一步金属化层是沿着该切口(26a)延伸而被制造，该切口(26a)是被填充金属或合金。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
