[发明专利]一次可编程存储器件无效
| 申请号： | 200380105655.5 | 申请日： | 2003-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN1723508A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | J·C·赖纳 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘红;王忠忠 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一次可编程存储器件。为了使这样的存储器件特别简单和可靠，本发明建议该器件包括串联连接在电压源线路BL与地Gnd之间的MOS选择晶体管T1和MOS存储晶体管T2。该器件还包括编程装置，用于向选择晶体管T1的栅极、存储晶体管T2的栅极和电压源线路BL施加预定电压Vsel、Vctrl、Vprog。选择所施加的电压Vsel、Vctrl、Vprog，以迫使存储晶体管T2进入导致热损坏存储晶体管T2的漏极结的电流的急速返回模式。本发明还涉及用于对一次可编程存储器编程的相应方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一次 可编程 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种一次可编程存储器件，包括串联连接在电压源线路与地之间的MOS(金属氧化物半导体)选择晶体管和MOS存储晶体管，并且还包括编程装置，用于给所述选择晶体管的栅极、所述存储晶体管的栅极和所述电压源线路施加电压，所施加的电压迫使所述存储晶体管进入急速返回模式，导致热损坏所述存储晶体管的漏极结的电流。
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