[发明专利]具有改进的LDMOS设计的集成电路结构有效
| 申请号： | 200380105717.2 | 申请日： | 2003-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1757118A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 蔡军 | 申请（专利权）人： | 快捷半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76;H01L31/062;H01L31/113;H01L31/119 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建忠 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 包括LDMOS器件结构的半导体集成电路，包括半导体层以及半导体层的上表面之上的一对空间分离的场效应栅极结构。栅极结构对之间的层部分中形成第一导电型的第一和第二空间分离的源极区，在其间形成第二导电型的第一区。在半导体层中形成第二导电型的轻微掺杂主体区，从源极区下面延伸到栅极结构下面，并延伸可变深度到半导体层中。该主体区的特征在于在第一区下面延伸的主体区部分中的深度回折。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 ldmos 设计 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体层；所述半导体层的表面上的一对空间分离的场效应栅极结构，每个栅极结构包括面向另一栅极结构的第一末端部分；所述栅极结构对之间的层部分中的第一导电型的第一和第二空间分离的源极区，所述第一末端部分之间的表面部分具有第一区域尺寸，以及每个源极区相对于所述第一末端部分之一自对准；所述半导体层中的第二导电型的轻微掺杂主体区，从所述源极区下面延伸到所述栅极结构下面；以及第二导电型的更重掺杂区，延伸到所述第一末端部分之间的表面部分中，并具有沿所述表面小于所述第一区域尺寸的区域尺寸。
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