[发明专利]发光装置、制造装置、成膜方法及清洁方法有效
| 申请号： | 200380105723.8 | 申请日： | 2003-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1723741A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H05B33/14 | 分类号： | H05B33/14;H05B33/22;H05B33/10;C23C14/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;刘宗杰 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供新型的成膜方法，通过与成膜室连接的减压部件减压，在成膜室中从蒸发源蒸发有机化合物材料并成膜时，使比有机化合物材料的粒子小的粒子、即原子半径小的材料组成的气体(硅烷系气体等)微量流入，使有机化合物膜中包含原子半径小的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 制造 方法 清洁 | ||
【主权项】：
1.一种发光装置，在具有绝缘表面的衬底上具备发光元件，该发光元件具有阳极、与该阳极连接的包含有机化合物的层、与包含该有机化合物的层连接的阴极，其特征在于，包含上述有机化合物的层中，用SIMS测定的硅含量是1×1018～5×1020个/cm-3。
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