[发明专利]用于X射线检测器的薄膜晶体管阵列面板有效

专利信息
申请号: 200380106054.6 申请日: 2003-12-11
公开(公告)号: CN1726600A 公开(公告)日: 2006-01-25
发明(设计)人: 朱仁秀;崔埈厚 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L31/115 分类号: H01L31/115;H01L27/146;G01T1/16;G01T1/24
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种用于X射线检测器的薄膜晶体管阵列面板包括用于检测漏电流的伪像素,该伪像素包括有光电二极管以及TFT。该光电二极管包括相互面对的第一和第二电极(178、195)以及设置于第一电极和第二电极之间的光电导层(800)。TFT包括半导体层(150)、栅电极(123)、连接到数据线的源电极(173)、连接到光电二极管的漏电极(175)。伪像素还包括用于阻挡入射到光电二极管上光的光阻挡层(196)。或者,半导体层在源电极和漏电极之间断开。
搜索关键词: 用于 射线 检测器 薄膜晶体管 阵列 面板
【主权项】:
1.一种用于X射线检测器的薄膜晶体管阵列面板,所述面板包括:栅极布线,形成于绝缘衬底上并包括栅极线和连接到所述栅极线的栅极电极;栅绝缘层,形成于所述栅极布线上;半导体层,形成于所述栅绝缘层上;数据布线,形成于所述栅绝缘层上,并包括与所述栅极线相交的数据线、连接到所述数据线并至少部分设置于所述半导体层上的源电极、至少部分设置于所述半导体层上并与所述源电极间隔开的漏电极;光电二极管,包括连接到所述漏电极的第一电极、面对所述第一电极的第二电极、以及设置于所述第一电极和所述第二电极之间的光电导层;偏置信号线,连接到所述第二电极;以及光阻挡层,覆盖所述光电二极管。
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