[发明专利]用于X射线检测器的薄膜晶体管阵列面板有效
申请号: | 200380106054.6 | 申请日: | 2003-12-11 |
公开(公告)号: | CN1726600A | 公开(公告)日: | 2006-01-25 |
发明(设计)人: | 朱仁秀;崔埈厚 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/115 | 分类号: | H01L31/115;H01L27/146;G01T1/16;G01T1/24 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于X射线检测器的薄膜晶体管阵列面板包括用于检测漏电流的伪像素,该伪像素包括有光电二极管以及TFT。该光电二极管包括相互面对的第一和第二电极(178、195)以及设置于第一电极和第二电极之间的光电导层(800)。TFT包括半导体层(150)、栅电极(123)、连接到数据线的源电极(173)、连接到光电二极管的漏电极(175)。伪像素还包括用于阻挡入射到光电二极管上光的光阻挡层(196)。或者,半导体层在源电极和漏电极之间断开。 | ||
搜索关键词: | 用于 射线 检测器 薄膜晶体管 阵列 面板 | ||
【主权项】:
1.一种用于X射线检测器的薄膜晶体管阵列面板,所述面板包括:栅极布线,形成于绝缘衬底上并包括栅极线和连接到所述栅极线的栅极电极;栅绝缘层,形成于所述栅极布线上;半导体层,形成于所述栅绝缘层上;数据布线,形成于所述栅绝缘层上,并包括与所述栅极线相交的数据线、连接到所述数据线并至少部分设置于所述半导体层上的源电极、至少部分设置于所述半导体层上并与所述源电极间隔开的漏电极;光电二极管,包括连接到所述漏电极的第一电极、面对所述第一电极的第二电极、以及设置于所述第一电极和所述第二电极之间的光电导层;偏置信号线,连接到所述第二电极;以及光阻挡层,覆盖所述光电二极管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200380106054.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电极和电池
- 下一篇:锂离子二次电池的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的