[发明专利]沟槽－栅半导体器件的制作方法无效
| 申请号： | 200380106076.2 | 申请日： | 2003-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1726586A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | E·A·希泽恩 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘红;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 制作沟槽MOSFET的方法，包括在沟槽底部形成一层多孔硅(26)，随后氧化该层多孔硅(26)以形成沟槽底部的插塞(30)。这在沟槽底部形成厚氧化物插塞，从而减小栅和漏之间的电容。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种制作沟槽栅半导体器件的方法，包括如下步骤：提供具有第一主表面(22)的硅器件主体(1)，该硅器件主体具有第一导电类型的漏区(2、4)和漏区上的主体区(6)；形成从第一主表面(22)向下延伸到硅器件主体内的沟槽(8)，该沟槽具有侧壁(28)和底部(29)；刻蚀沟槽底部的硅以在沟槽底部形成多孔硅(26)；以及热氧化该器件以氧化在沟槽底部的多孔硅，从而在沟槽底部形成插塞(30)；而且在沟槽(8)内沉积导电材料以形成栅(34)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
