[发明专利]使用可调耦合接地电路控制等离子体的装置及方法有效
| 申请号： | 200380106131.8 | 申请日： | 2003-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN1726584A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | 倪图强;温利·科利森 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于控制等离子体的系统及方法。该系统包括半导体室，该半导体室包括带电电极、另外的电极、以及可调耦合接地电路。带电电极用于接收晶片或衬底。至少存在一个用于与带电电极电连接的接地电极。至少一个接地电极电耦合至可调耦合接地电路。可调耦合接地电路用于改变接地电极的阻抗。等离子体的离子能量由可调耦合接地电路控制。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 可调 耦合 接地 电路 控制 等离子体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体室，用于产生等离子体，所述半导体室包括：带电电极，用于接收晶片或衬底；至少一个电极，用于产生与所述带电电极的电连接，所述至少一个电极具有可变阻抗；以及可调耦合接地电路，电耦合至所述至少一个电极，所述可调耦合接地电路用于改变所述至少一个电极的所述可变阻抗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
