[发明专利]多晶硅细脉熔丝有效
| 申请号： | 200380106188.8 | 申请日： | 2003-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1726592A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | R·多德罗;D·特罗特 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李亚非;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 通过利用光步进工具的重叠容差而不是步进工具的最小临界尺寸容差来构造具有窄宽度的多晶硅硅化物细脉。在示例性实施例中，一种用于集成在半导体内的熔丝(200)包括邻接半导体衬底(203)淀积的绝缘层(205)。硅层(201)由邻接绝缘层(205)淀积的具有第一电阻的第一硅材料形成。该硅层具有第一宽度。具有不同于第一电阻的第二电阻的金属硅化物细脉(202)淀积在部分第一硅材料(201)上，并具有至少在其部分内小于第一宽度的第二宽度。该金属硅化物用近似第二电阻传导通过其的电流，以及响应不同于以相同的第二电阻通过其的传导电流的编程电流而烧结。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 硅细脉熔丝 | ||
【主权项】：
1.一种用于集成在半导体电路中的熔丝(200)，包括：邻接半导体衬底(203)淀积的绝缘层(205)；由与绝缘层相邻淀积的具有第一电阻的第一硅材料形成的硅层(201)，该硅层具有第一宽度；以及金属硅化物细脉(202)，其具有在部分第一硅材料(201)上淀积的不同于第一电阻的第二电阻，并且具有至少在其一部分内小于第一宽度的第二宽度，该金属硅化物用于以近似第二电阻传导通过其的电流，以及用于响应不同于以相同的第二电阻通过其的传导电流的编程电流而烧结。
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