[发明专利]用于半导体装置的具有不同程度圆角的沟槽隔离结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200380106269.8 | 申请日： | 2003-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN1726590A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | R·范本通;S·克吕格尔;G·布尔巴赫 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在半导体装置的沟槽隔离结构中，在沟槽206A、206B内形成氧化物衬底，其中在各氧化步骤期间采用不可氧化的掩模221，由此产生不同类型的衬底氧化物，并因而产生不同类型的圆角及机械应力。因此，对于特定类型的电路元件，可以调整对应的隔离沟槽的特征以得到最佳的装置性能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 装置 具有 不同 程度 沟槽 隔离 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成沟槽隔离结构的方法，所述方法包含：在基片中形成多个沟槽206A、206B；用氧扩散阻挡层221覆盖所述多个沟槽中的至少一个206A；以及当用所述氧扩散阻挡层221覆盖所述多个沟槽中的至少一个206A时，在所述多个沟槽中的一个206B或多个沟槽的可氧化的内表面部分上选择性地形成热氧化物210B。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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