[发明专利]致密双平面器件有效
| 申请号： | 200380106298.4 | 申请日： | 2003-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1726595A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | E·J·诺瓦克;B·雷尼 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种MOS器件，具有形成在衬底(10)上的第一和第二独立半导体管体(40N、40P)。第一独立半导体管体(40N或40P)具有相对于第二独立半导体管体(40P或40N)的第一部分呈非直角、非平行取向的第一部分。所述第一和第二独立半导体管体(40N、40P)的这些部分具有各自的第一和第二结晶取向。第一栅电极(60)以非直角的角度经过所述第一独立半导体管体(40N或40P)的所述第一部分的至少一部分，第二栅电极(60)同样经过第二独立半导体管体(40P或40N)的第一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 致密 平面 器件 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物半导体器件，包括：在衬底上形成的第一与第二独立半导体管体，所述第一独立半导体管体具有相对于所述第二独立半导体管体的第一部分呈非直角、非平行取向设置的第一部分，所述第一和第二独立半导体管体的所述部分具有各自的第一和第二结晶取向；第一栅电极，以相对于所述第一独立半导体管体的所述第一部分呈非直角的角度经过所述第一独立半导体管体的所述第一部分的至少一部分；第二栅电极，以相对于所述第二独立半导体管体的所述第一部分呈非直角的角度经过所述第二独立半导体管体的所述第一部分的至少一部分；以及受控电极，至少设置在分别通过所述第一栅电极和所述第二栅电极暴露的所述第一和第二独立半导体管体的各部分中。
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