[发明专利]用于磁电子器件的合成反铁磁结构无效
| 申请号： | 200380106461.7 | 申请日： | 2003-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1726400A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | 加森·艾伦·加奈斯基;布莱德利·N·英格尔;尼古拉斯·D·里佐;约汉·M·斯劳格特 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G11C11/16;H01F10/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种近似平衡的合成反铁磁(SAF)结构，其能够优良地使用于诸如磁电阻存储单元的磁电子器件(5)中，该结构包括两个铁磁层(45，55)和分隔这两个铁磁层的一个反铁磁耦合层(65)。该SAF自由层(15)具有在该反铁磁耦合层中形成的弱耦合区域，其通过诸如退火、层叠反铁磁耦合层或在铁磁层的一个粗造化表面上形成反铁磁耦合层等处理来形成。相对于未处理的SAF自由层，该弱耦合区域降低了SAF自由层的翻转磁场。SAF翻转被用于这种结构的写入操作期间，而它的减小导致了写入操作期间更低的功耗及相应提高的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 磁电 器件 合成 反铁磁 结构 | ||
【主权项】：
1.一种磁电子存储器件，包括：一个近似平衡的合成的反铁磁即SAF结构，包括两个铁磁层，及一个分隔这两个铁磁层并且其中具有弱耦合区域即WCR的反平行耦合层；以及一个在该近似平衡SAF中感应出施加的磁场的构件。
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