[发明专利]应变绝缘体上硅(SSOI)及其形成方法

摘要

本发明公开了制造基于应变Si的层的方法、在这个层中制造的器件和包括这种层和器件的电子系统。该方法包括在衬底上外延生长SiGe层、在这个SiGe层中形成不同的Ge浓度的步骤。在SiGe层中的Ge浓度包括唯一的Ge突出区，在这个区中Ge浓度急剧增加。基于Si的层外延地淀积在SiGe层上，由此成为拉应变。还公开了基于应变Si的层(通常是Si或SiGe)可以转移给不同的体积的衬底或者绝缘体。

主权项

1.一种使在绝缘体上的Si层产生拉应变的方法，包括如下步骤：提供绝缘体上硅晶片，所述晶片包括夹在Si衬底和单晶Si层之间的埋置的绝缘层，所述Si层具有第一晶格常数；在所述Si层的顶部上形成外延的松弛的SiGe层；通过离子注入将所述SiGe层的底部部分以及所述Si层转换为非晶状态，其中所述SiGe层的所述底部部分与所述Si层共享第一界面；和通过固相外延使所述SiGe层的所述底部部分和所述Si层再结晶，所述固相外延从在所述SiGe层的结晶顶部部分和所述SiGe层的所述非晶底部部分之间的第二界面产生籽晶，其中在所述第二界面处所述SiGe层的所述顶部部分具有第二晶格常数，所述第二晶格常数大于所述第一晶格常数，由此一旦再结晶，所述Si层被迫适应所述第二晶格常数并产生拉应变。