[发明专利]处理方法及处理装置无效
| 申请号： | 200380106517.9 | 申请日： | 2003-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN1726583A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | 奥本康博;唐泽涉 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种处理装置，包括：连续处理被处理体的处理部；针对被处理部处理的被处理体检查其处理状态的检查部；基于检查部的检查结果判定处理状态的合格、不合格的处理状态判定部；当由处理状态判定部判定为不合格时，对不合格判定是否连续进行判定的连续性判定部；以及当由连续性判定部判定为不合格判定连续时，控制处理以使处理部对被处理体的连续的处理停止的处理控制部。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种处理方法，包括：处理工序，对被处理体进行连续处理；检查工序，针对在所述处理工序中被处理的被处理体，检查其处理状态；处理状态判定工序，基于所述检查工序中的检查结果，判定处理状态的合格、不合格；连续性判定工序，当在所述处理状态判定工序中被判定为不合格时，对不合格判定是否连续进行判定；处理控制工序，当在所述连续性判定工序中判定出不合格判定连续时，控制处理以使所述处理工序中对被处理体的连续的处理停止。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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