[发明专利]双堆栈光学数据存储介质及其使用无效

专利信息
申请号: 200380106624.1 申请日: 2003-11-19
公开(公告)号: CN1729523A 公开(公告)日: 2006-02-01
发明(设计)人: R·J·A·范登奥特拉亚尔 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: G11B7/24 分类号: G11B7/24;G11B7/26;G11B7/0037;G11B7/0045;G11B7/006
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 刘红;王忠忠
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 描述了一种通过聚焦辐射束(29)记录和读取的双堆栈光学数据存储介质(30)。所述辐射束经由第一辐射束入射面(21)进入该介质(30)。该介质包含至少第一衬底(1a),该第一衬底(1a)的至少一侧带有包含第一信息层(3)的第一层堆栈(2),和包含第二信息层的第二层堆栈(5)。第二层堆栈(5)存在于比第一层堆栈(2)距离第一辐射束入射面(21)更远的位置。第一透明间隔层(4)存在于第一层堆栈(2)和第二层堆栈(5)之间。第一信息层(3)为只读类型层或有机一次写类型层,所述第二层堆栈(5)由最多三个相邻的无机金属材料层构成。这样就得到了一种光学数据存储介质(30),该光学数据存储介质(30)同所述介质的双堆栈ROM类型兼容并有简单的第二层堆栈(5)。
搜索关键词: 堆栈 光学 数据 存储 介质 及其 使用
【主权项】:
1.通过经由第一辐射束入射面进入介质的聚焦辐射束进行记录和读取的双堆栈光学数据存储介质,所述介质具有至少第一衬底,该第一衬底的至少一侧带有:-第一层堆栈,其包含第一信息层,-第二层堆栈,其包含第二信息层,所述第二层堆栈存在于比第一层堆栈距离第一辐射束入射面更远的位置,-在第一层堆栈和第二层堆栈之间的第一透明间隔层,其特征在于第一信息层是从由只读层和有机一次写层构成的类型组中选出的层,且第二层堆栈由最多三个相邻的无机金属材料层构成。
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