[发明专利]用于保护一个MRAM装置不受窜改的方法和装置有效
| 申请号： | 200380106672.0 | 申请日： | 2003-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1729539A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | K·M·H·伦斯森;R·乔彻姆森 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C7/24;G06K19/073 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 龚海军;陈景峻 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 应当保护存储在MRAM单元(12)中的数据不被滥用或不被未经许可的人读出。本发明提供了一种MRAM单元(12)的阵列(10)，具有一个安全装置(14)，用于当该阵列遭到窜改时破坏存储在MRAM单元(12)中的数据。这是通过临近于MRAM阵列(10)放置一个永久磁铁与一个软磁通量闭合层(18)结合而实现的。只要软磁层(18)存在，那么来自永久磁铁(16)的磁场线(20)偏转并通过这个软磁层(18)。当某人例如通过逆向工程窜改MRAM阵列(10)时，并且移除通量闭合层(18)，那么通量就不再偏转并且影响附近的MRAM阵列(10)，从而破坏了存储在MRAM单元(12)中的数据。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 保护 一个 mram 装置 不受 窜改 方法 | ||
【主权项】：
1、一种MRAM单元(12)的阵列(10)，具有一个安全装置(14)，用于当该阵列遭到窜改时破坏存储在MRAM单元(12)中的数据，其中安全装置(14)是一个磁性装置。
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