[发明专利]抗窜改封装和方法有效
| 申请号： | 200380106708.5 | 申请日： | 2003-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1729540A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | C·克努德森 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C8/20;G06K19/073;G11C7/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘红;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种抗窜改封装方法保护非易失性存储器(108)。根据本发明的一种示例性实施方案，其中具有多个磁性粒子(120－125)的封装(106)被安排为与集成电路设备100一起使多个磁响应电路节点(130－134)呈现磁性状态。每个磁性状态被作为逻辑状态进行检测，并且然后将其与磁响应电路节点的实时逻辑状态进行比较，而且响应于存储的逻辑状态和实时逻辑状态不同，检测到封装窜改。在一个实例中，当一个磁响应电路节点的逻辑状态随着封装的一部分被除去而改变时，检测到窜改。例如通过改变存储的数据或设置指示封装已被窜改的窜改标志，检测到的窜改可以改变集成电路的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 窜改 封装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路设备，包括：集成电路装置100，具有多个磁响应电路节点130-134；和封装106，适用于阻止对集成电路装置100的访问，并且其中包括多个磁化粒子120-125，这些磁响应电路节点130-134磁响应多个磁化粒子120-125，使得由磁化粒子120-125共同提供的磁场的变化引起至少一个磁响应电路节点130-134的磁性状态的改变。
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