[发明专利]碳化硅功率MOS场效应晶体管及制造方法有效
| 申请号： | 200380106833.6 | 申请日： | 2003-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN1729577A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | S·－H·瑞 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/24;H01L21/04;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 碳化硅金属－氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)可以包括n型碳化硅漂移层(12)、毗邻漂移层且其中包含第一n型碳化硅区的第一p型碳化硅区(28)、漂移层上的氧化物层、以及漂移层和第一p型区一部分之间的n型碳化硅限制区(26)。限制区的载流子浓度可以高于漂移层的载流子浓度。同时还提供了制备碳化硅MOSFET器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 功率 mos 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管单元，包括：n型碳化硅漂移层；与该漂移层相邻的第一p型碳化硅区；第一p型碳化硅区中的第一n型碳化硅区；漂移层、第一p型碳化硅区、和第一n型碳化硅区上的氧化物层，；以及位于漂移层和第一p型碳化硅区的一部分之间的n型碳化硅限制区，其中n型限制区的载流子浓度比漂移层的载流子浓度高。
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