[发明专利]电容器装置制造方法及电容器装置有效
申请号: | 200380106835.5 | 申请日: | 2003-11-27 |
公开(公告)号: | CN1729572A | 公开(公告)日: | 2006-02-01 |
发明(设计)人: | J·巴奇曼恩;B·福斯特;K·戈尔勒;J·克里滋 | 申请(专利权)人: | 因芬尼昂技术股份公司 |
主分类号: | H01L27/08 | 分类号: | H01L27/08 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;王勇 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明特别是说明用以制造一电容器装置(110)的方法,其包含至少三电极(114a、118a与122b)。该电容器装置(110)是使用少于该电极(114a、118a与122b)数目的微影方法次数所图形化。本发明也说明一种电容器装置,其在金属化层之间有多于两个或多于三个的中间层间延伸。该电路装置每单位面积具有一高的电容,并可以利用一简单方式制造。本发明也说明一种方法,其中首先使用一干式蚀刻图形化一电极层。该电极层的残余是使用一湿式化学处理所移除。此方法可以制造具有良好电性质的电容器。 | ||
搜索关键词: | 电容器 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造集成电容器装置(110)的方法,其中,该方法实行以下步骤:制造一层状堆积(124b),其中包含以下顺序:一基础电极层(14),一基础介电层(16),至少一中央电极层(18),一覆盖介电层(20),以及一覆盖电极层(22),使用一种第一微影方法,图形化该覆盖电极层(22)与该中央电极层(18),以及使用一种第二微影方法,图形化该覆盖电极层(22a)与该基础电极层(14)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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