[发明专利]带横向浮置分隔离条的多级存储单元

摘要

一种多级非易失性存储晶体管(33)在半导体衬底(57)中形成。具有相对侧壁的导电性多晶硅控制栅(51；62)在衬底的正上方绝缘隔开(56)。导电性多晶硅隔离条(53，55；91，93)由薄的隧穿氧化物(59；74)从相对的侧壁隔离开。源和漏离子注入(61，63；101，103)在隔离条的下方或者在隔离条外侧一点。绝缘材料(104，109)放置在该结构之上，在控制栅上方处开有用于由连接到导电性字线，或者一部分字线的栅电极(127)进行接触的小孔(125)。在形成存储晶体管的同时生成的辅助低电压晶体管(23－26)向源电极和漏电极施加反相时钟脉冲，因而首先在存储晶体管的一边可以写入、或者读取，然后是另一边。

主权项

1.一种带横向电荷存储区的多级非易失性存储晶体管，它包括：半导体衬底，具有有源区，在所述有源区中有相隔开的源区和漏区；第一绝缘层，设置在所述源和漏区之间的衬底之上；导电性控制栅，设置在所述第一绝缘层上并且具有相对的侧壁；一对导电性直立式隔离条，位于控制栅相对的两侧上，邻近所述侧壁但是由隧道氧化物将其与侧壁及衬底分隔开，在衬底中的源区和漏区在所述控制栅的控制下经由隧道氧化物和其各自的隔离条处于电荷隧穿交换；第二绝缘层，覆盖了所述控制栅极和隔离条，从而所述隔离条成为电气浮置结构作为电荷存储区；和导电性栅电极层，设置在所述第二绝缘层上并通过在所述第二绝缘层上的开口接触所述控制栅，所述栅极电极层和一电压源相关联以向控制栅极提供有效控制在隔离条上写入和读取电荷的电平。