[发明专利]提高晶体的抗“光学损伤”力无效
| 申请号： | 200380106885.3 | 申请日： | 2003-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1729383A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | K·布斯;J·胡科里德;M·穆勒 | 申请（专利权）人： | 德国电信股份有限公司 |
| 主分类号： | G01F1/00 | 分类号： | G01F1/00;C30B29/30 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于减小具有非线性光学性能的晶体的敏感性方法，尤其是铌酸锂或钽酸锂防止曝光行为的损伤(光学损伤)。而光感应引起的折射率变化也会产生类似的损伤。通过使用外部的离子掺杂可提高晶体的暗导电率。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 晶体 光学 损伤 | ||
【主权项】：
1.一种适用于减小具有非线性光学性能的晶体的敏感性的方法，尤其是减小铌酸锂或者钽酸锂之类晶体对光强度曝光的损伤效应(“光学损伤”)的敏感性的方法，其中所述损伤是由在折射率中光感应的振动所产生的，其特征在于，所述晶体的暗导电率可通过掺入外来离子来增加。
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