[发明专利]光电子器件的电连接有效
申请号: | 200380106959.3 | 申请日: | 2003-12-18 |
公开(公告)号: | CN1729571A | 公开(公告)日: | 2006-02-01 |
发明(设计)人: | 乔纳森·豪斯;理查德·威尔森 | 申请(专利权)人: | 剑桥显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王萍 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种用于在一个衬底(101)上制造多个电连接的有机光电子器件(110)的方法,包括首先在衬底上利用以下步骤制备多个有机光电子器件:在所述衬底上提供一个被形成图案的第一导电材料层,在所述第一导电材料层之上提供有机光电子材料层(103),以及在所述有机光电子材料层之上提供被形成图案的第二导电材料层,至少部分地除去未由所述被形成图案的第二导电材料层覆盖的所述有机光电子材料的区域,其次提供电连接部分(105)用于电连接所述多个有机光电子器件中的至少两个。所述有机光电子器件适宜地是有机光生伏打器件或有机电致发光器件。 | ||
搜索关键词: | 光电子 器件 连接 | ||
【主权项】:
1.一种用于在一个衬底上制造多个电连接的有机光电子器件的方法,所述方法包括以下步骤:a)制备多个有机光电子器件,包括:i)提供衬底,ii)在所述衬底上提供一个被形成图案的第一导电材料层,iii)在所述第一导电材料层之上提供有机光电子材料层,以及iv)在所述有机光电子材料层之上提供被形成图案的第二导电材料层,所述被形成图案的第二导电材料层覆盖所述有机光电子材料层的区域,所述被形成图案的第二导电材料层限定多个光电子器件,b)至少部分地除去未由所述的被形成图案的第二导电材料层覆盖的所述有机光电子材料的区域,所述方法的特征在于还包括以下步骤;c)提供电连接部分以用于电连接所述多个有机光电子器件中的至少两个。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于剑桥显示技术有限公司,未经剑桥显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200380106959.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种聚合物膜的制备方法
- 下一篇:负极及使用该负极的镍氢蓄电池
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的