[发明专利]集成N型和P型金属栅晶体管有效
| 申请号： | 200380107027.0 | 申请日： | 2003-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1729565A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | 马克·多克兹;史蒂文·基廷;杰克·卡瓦莱厄斯;布赖恩·多伊尔;克里斯·巴恩斯;约翰·巴纳克;迈克尔·麦克斯威尼;贾斯廷·布拉斯克 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 | 代理人： | 齐永红 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 至少一个p型和n型半导体器件被沉积在包含金属栅或金属合金栅的半导体晶片上。更具体地，互补金属氧化物半导体(CMOS)器件被形成在具有n型和p型金属栅的半导体晶片上。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 金属 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在半导体衬底上，在一个互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路中形成晶体管的侧壁和电介质；在由所述侧壁和电介质形成的沟槽内形成n型和p型金属栅结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
