[发明专利]电子器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200380107109.5 | 申请日： | 2003-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1729562A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | J·W·维坎普;M·A·德桑伯;E·C·E·范格伦斯文 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/60;H01L23/538 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明的器件包含半导体元件、第一连接元件、第一图形化导电层和第二图形化导电层。该器件进一步设有封装，封装除了是为衬底一部分的第一导电层之外所有部分。该器件可以适当地制造，因为第二导电层以预图形化的形式设有可渗透隔离层作为箔片。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、电子器件的制造方法，包括如下步骤：提供具有导电材料制成的第一层的衬底，在该层中根据期望图形确定或者将确定多个导体；提供具有导电材料制成的第二层的箔片，在该层中根据期望图形确定多个导体；在衬底的第一侧上提供包括半导体元件和第一连接元件的元件，从而使所述元件中的至少两个和第一层内相应的导体电接触，所述至少两个元件中的一个为第一连接元件；在元件的任一侧上都提供第二导电层，从而在至少该两个元件和第二层中相应导体之间建立电接触；从半导体元件的第二侧通过箔片提供钝化材料，该钝化材料形成元件的封装；以及分离衬底、封装和第二导电层的组件，从而形成该电子器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
