[发明专利]形成碳纳米管的方法无效
| 申请号： | 200380107267.0 | 申请日： | 2003-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN1729317A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | 康盛球;克雷格·贝 | 申请（专利权）人： | 赛得里姆显示器公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B25/00;C30B28/12;C30B28/14;C30B29/00;C30B29/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 郭国清;樊卫民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 使用等离子体化学淀积方法在基材表面形成碳纳米管。纳米管生长之后，在新近形成的纳米管结构上进行纯化步骤。纯化可从生长的纳米管的壁上除去石墨及其他碳粒子，控制该纳米管层的厚度。在相同的基质温度下，用等离子体实施纯化。对于纯化，加入到等离子体化学淀积源气体中的作为辅助气体的含氢气体用作等离子源气体。因为纯化等离子体的源气体作为辅助气体加入到化学等离子体沉积的源气体中，通过与持留在等离子体处理室中的连续等离子体反应而纯化生长的碳纳米管。这消除了清除和抽空等离子体处理室，以及用纯化等离子体源气体稳定压力的必要。因此，在等离子体处理室中可以在不关闭等离子体的情况下进行生长和纯化。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在基材组件上形成多个碳纳米管的方法，包括：使用等离子体通过化学沉积生长所述的多个碳纳米管；和使用所述的等离子体通过蚀刻纯化所述的多个生长的碳纳米管；在不关闭所述等离子体的情况下重复所述的生长和所述的纯化。
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