[发明专利]通过印刷成形制造薄膜晶体管器件的方法无效
| 申请号： | 200380107541.4 | 申请日： | 2003-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN1732560A | 公开（公告）日： | 2006-02-08 |
| 发明（设计）人： | J·A·查普曼 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 原绍辉 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 使用例如照相凹版胶印机的印刷装置制造用于有源矩阵液晶显示器的薄膜晶体管。在层状结构(4)上形成第一个第二图形化层(251、252、30)，其中至少一层是被印刷的。该被印刷的层(251、252、30)对区域(271、272、28)进行掩模以限定源极和漏极端子。该第二图形化层(28)可以被去除以便允许刻蚀第二区域(28)以限定一沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 印刷 成形 制造 薄膜晶体管 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种器件的制造方法，该方法包括：提供一层状结构；在所述层状结构的表面上形成第一图形化层，以便对所述表面的第一区域进行掩模；在所述层状结构的所述表面层上形成第二图形化层，以便对所述表面的第二区域进行掩模并留下所述表面未掩模的第三区域；在所述第三区域刻蚀所述层状结构；和去除所述第二图形化层并且在所述第二区域刻蚀所述层状结构，或者，去除所述第一图形化层并且在所述第一区域刻蚀所述层状结构，其中，所述第一或第二图形化层中的至少一层是通过印刷形成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
