[发明专利]涂布处理装置和涂布膜形成方法有效
| 申请号： | 200380107576.8 | 申请日： | 2003-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN1732555A | 公开（公告）日： | 2006-02-08 |
| 发明（设计）人： | 志手英男 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;B05C11/08;G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 抗蚀剂涂布处理单元(COT)具备：保持被供给抗蚀剂液的晶片的旋转盘(41)、和收容旋转盘(41)从底部排出晶片(W)周围的气氛的处理杯(50)。处理杯(50)包括具有外周壁(61a)的第一杯(51)和在第一杯(51)的内侧接近于晶片(W)围着晶片(W)配置的气流控制部件(52)。气流控制部件(52)具有由断面大致三角形且上凸的上环部件(62a)与断面大致三角形且下凸的下环部件(62b)所构成的断面大致四边形的形状，在外周壁(61a)与气流控制部件(52)之间实质上形成用来排出晶片(W)周围的气氛的排气流路(55)。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 涂布膜 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种涂布处理装置，在被处理基板上形成涂布膜，该涂布处理装置具有：以大致水平姿势保持被处理基板的保持机构；把规定的涂布液供给到由所述保持机构所保持的被处理基板的表面的涂布液供给机构；使由所述保持机构所保持的被处理基板旋转的旋转机构；和接近于所述被处理基板地配置成围着所述被处理基板，其竖直断面形状从内侧向外侧向上增加厚度的气流控制部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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