[发明专利]具有高堆积密度的二氧化钛-二氧化硅混合晶粒的生产方法、通过该方法获得的二氧化钛-二氧化硅混合晶粒及其用途无效

专利信息
申请号: 200380107611.6 申请日: 2003-12-26
公开(公告)号: CN1732129A 公开(公告)日: 2006-02-08
发明(设计)人: 小古井久雄;田中淳 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: C01G23/07 分类号: C01G23/07;C01G23/00;A61K8/29;C08K3/36;C09C1/36;A01G9/20
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 林柏楠;刘金辉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种生产具有高堆积密度并包括以二氧化钛为主成分及以二氧化硅为辅助成分的二氧化钛-二氧化硅混合晶粒的方法,该方法包括在加热至600℃或更高的氧或水蒸气中将各自加热至600℃或更高的气态卤化钛和气态卤化硅分解以获得包含二氧化钛和二氧化硅的粉末,将所获得的粉末加热到300至600℃以降低粉末中由原材料产生的卤化氢的浓度至1质量%或更低,然后对粉末进行离解聚集或空间结构的处理。
搜索关键词: 具有 堆积 密度 氧化 二氧化硅 混合 晶粒 生产 方法 通过 获得 及其 用途
【主权项】:
1、一种生产具有高堆积密度并包含以二氧化钛为主成分、以二氧化硅为辅助成分的二氧化钛-二氧化硅混合晶粒的方法,该方法包括:在于600℃或更高的温度下加热过的氧或水蒸气的存在下,将各自于600℃或更高的温度下加热过的气态卤化钛和气态卤化硅分解,从而获得包含二氧化钛和二氧化硅的粉末,将获得的粉末于300至600℃加热,从而将粉末中由原材料产生的卤化氢的浓度降低至1质量%或更低,然后对粉末进行离解聚集结构或空间结构的处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和电工株式会社,未经昭和电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200380107611.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top