[发明专利]保护元件有效
| 申请号： | 200380107636.6 | 申请日： | 2003-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1732546A | 公开（公告）日： | 2006-02-08 |
| 发明（设计）人： | 古内裕治 | 申请（专利权）人： | 索尼化学株式会社 |
| 主分类号： | H01H37/76 | 分类号： | H01H37/76;H01H85/046 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 使低熔点金属体加热熔融时的球状分裂化性能提高的保护元件是一种在基板上具有发热体和低熔点金属体并通过发热体的发热使低熔点金属体熔断的保护元件。该保护元件具有低熔点金属体离开基底(例如绝缘层)而浮置的区域，当将夹持该区域的一对低熔点金属体用电极3a和3b、3b和3c间的低熔点金属体4的横截面积设为S(μm2)，将上述浮置区域的浮置高度设为H(μm)时，满足H/S≥5×10－5的关系式。这里，上述一对低熔点金属体用电极两者的上面最好是位于比上述基底的绝缘层的上面突出的位置。或者最好是上述一对低熔点金属体用电极的上面之间有台阶差，在该一对低熔点金属体用电极之间，低熔点金属体处于倾斜状态。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 元件 | ||
【主权项】：
1.一种保护元件，在基板上具有发热体和低熔点金属体，通过发热体的发热使低熔点金属体熔断，其特征在于：具有低熔点金属体离开基底而浮置的区域，当将夹持该区域的一对低熔点金属体用电极之间的低熔点金属体的横截面积设为S(μm2)、将上述浮置区域的浮置高度设为H(μm)时，H/S≥5×10-5。
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