[发明专利]提高氧离子电导率的制造方法无效
申请号: | 200380107659.7 | 申请日: | 2003-12-22 |
公开(公告)号: | CN1732050A | 公开(公告)日: | 2006-02-08 |
发明(设计)人: | J·A·莱恩 | 申请(专利权)人: | 普莱克斯技术有限公司 |
主分类号: | B05D3/02 | 分类号: | B05D3/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 范赤;段晓玲 |
地址: | 美国康*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种制造离子导体的方法,从而提高由于存在有害的含硅杂质或含硅化合物将会下降的氧离子电导率。根据本发明,将由碱土金属组成的掺杂剂的溶解盐涂覆到由掺杂氧化铈、掺杂氧化锆或掺杂镓酸镧组成,并具有杂质的氧离子传导材料上。同样也可以将该溶液涂覆到在制造该氧离子传导材料中使用的阳离子盐和氧化物上。将氧离子传导材料与涂覆其上的溶液充分混合,然后加热使溶剂蒸发,并使碱土盐分解,由此形成所述离子导体。 | ||
搜索关键词: | 提高 离子 电导率 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造离子导体的方法,从而提高由于存在有害的含硅杂质将会下降的氧离子电导率,所述方法包括:将掺杂剂的盐溶解到溶剂中,从而形成溶液,该掺杂剂由碱土金属组成;将该溶液涂覆到由掺杂氧化铈、掺杂氧化锆或掺杂镓酸镧组成,并具有所述有害杂质的氧离子传导材料上,该氧离子传导材料是颗粒小于约100微米的粉末;这样涂覆该溶液,即所述离子离子导体内掺杂剂与全部阳离子的摩尔比为约0.001-约0.1;混合该溶液和该颗粒,从而使该溶液均匀地覆盖该颗粒;和加热涂覆了溶液的氧离子传导材料,从而使溶剂蒸发并使该盐分解,由此形成所述离子导体。
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