[发明专利]氮化钨膜的成膜方法无效

专利信息
申请号: 200380107669.0 申请日: 2003-12-10
公开(公告)号: CN1732287A 公开(公告)日: 2006-02-08
发明(设计)人: 水野荣一;五户成史;原田雅通;加藤伸幸 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: C23C16/34 分类号: C23C16/34;C23C16/455;H01L21/28;H01L21/285
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 庞立志
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明具有供给由钨化合物气体构成的第一原料气体的第一原料气体供给步骤;供给还原气体的还原步骤;供给由钨化合物气体构成的第二原料气体的第二原料气体供给步骤;供给氮化气体的氮化步骤,并将在基板5上析出钨的步骤和形成氮化钨的步骤分别进行,因此通过改变各气体的流量、供给各气体时的压力、供给时间或各步骤的次数或顺序,可以容易地控制钨析出量和氮化钨形成量。
搜索关键词: 氮化 方法
【主权项】:
1.氮化钨膜的成膜方法,该方法包括以下步骤:向设置有处理对象物的减压气氛中供给以钨化合物的气体为主要成分的第一原料气体,然后将上述第一原料气体从上述减压气氛中排出的第一原料气体供给步骤;向上述减压气氛中供给用以还原上述钨化合物的还原气体,然后将上述还原气体从上述减压气氛中排出的还原步骤;向上述减压气氛中供给以钨化合物的气体为主要成分的第二原料气体,然后将上述第二原料气体从上述减压气氛中排出的第二原料气体供给步骤;向上述减压气氛中供给化学结构中具有氮并与钨反应生成氮化钨的氮化气体,然后将上述氮化气体从上述减压气氛中排出的氮化步骤。
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