[发明专利]通过差别平面化形成凸出金属部分的方法有效
| 申请号： | 200380107714.2 | 申请日： | 2003-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1732564A | 公开（公告）日： | 2006-02-08 |
| 发明（设计）人： | J·宝德曼;S·金;P·菲希尔;M·科布瑞恩斯基 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在正常金属镶嵌处理后，金属层由宽度不同的金属间间隙分成多个金属部分(102－105，110、111)。进一步的化学机械抛光步骤使得金属部分从基片(100)凸出，部分(102－105)由较宽的金属间间隙分开，该部分比示出较窄金属间间隙的部分(110、111)凸出得更高。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 差别 平面化 形成 凸出 金属 部分 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成微电子结构的方法，其特征在于，包括：在基片层中形成一系列金属层，系列中的这些金属层由金属间间隙分开；平面化所述金属层和基片层以形成基本平面的表面；差别平面化所述基本平面的表面，以降低相对于金属层的水平高度的基片层的水平高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
