[发明专利]场发射型电子源及其制造方法无效
| 申请号： | 200380107724.6 | 申请日： | 2003-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1732551A | 公开（公告）日： | 2006-02-08 |
| 发明（设计）人： | 栎原勉;菰田卓哉;相泽浩一;本多由明;马场彻 | 申请（专利权）人： | 松下电工株式会社 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J1/312 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王玮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 场发射型电子源具有在由玻璃衬底构成的绝缘衬底(11)的一个表面(前表面)侧上形成的多个电子源元件(10a)。各电子源元件(10a)包括低电极(12)、由形成在低电极(12)上的非晶硅层构成的缓冲层(14)、在该缓冲层(14)上形成的多晶硅层(3)、在该多晶硅层(3)上形成的强电场漂移层(6)、以及在该强电场漂移层(6)上形成的表面电极(7)。该场发射型电子源可以降低电子发射性能的面内变化。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 电子 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种场发射型电子源，它包括绝缘衬底和在该绝缘衬底的一个表面侧上形成的电子源元件，所述电子源元件具有：低电极；表面电极；和强电场漂移层，该强电场漂移层包括多晶硅并位于低电极和表面电极之间，根据向低电极和表面电极施加特定电压以使表面电极的电势比所述低电极的电势更高时所产生的电场，所述强电场漂移层使电子经此穿过，所述场发射型电子源包括：位于强电场漂移层和低电极层之间的缓冲层，该缓冲层的电阻大于多晶硅的电阻。
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