[发明专利]薄膜电容器及其制造方法无效
| 申请号： | 200380107746.2 | 申请日： | 2003-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1732540A | 公开（公告）日： | 2006-02-08 |
| 发明（设计）人： | 坂下幸雄;崔京九 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是提供一种尺寸小、电容大、且介电特性优异的薄膜电容器及其制造方法。根据本发明的薄膜电容器包括其表面沿[001]方向定向的支持衬底、形成在支持衬底上且其表面沿[001]方向定向的缓冲层、形成在缓冲层上且其表面沿[001]方向定向的下电极薄膜、形成在下电极薄膜上且其表面沿[001]方向亦即其c轴定向的包含铋层结构化合物的介质薄膜、以及形成在介质薄膜上的上电极薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜电容器，它包含第一电极结构本体、第二电极结构本体、以及提供在第一电极结构本体与第二电极结构本体之间且包含铋层结构化合物的介质薄膜，与介质薄膜接触的第一电极结构本体的表面沿[001]方向被定向。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社，未经TDK株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200380107746.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
