[发明专利]确定最佳工艺窗口的最佳工艺设定的方法,该最佳工艺窗口优化了确定光刻工艺最佳工艺窗口的工艺性能

摘要

印刷具有临界尺寸(CD)的特征的光刻工艺中，使用整体性能表征参数(C_pk)和分析模型确定提供最佳工艺窗口的最佳工艺变量(E、F、W)设定，该模型以例如曝光剂量(E)和聚焦(F)的工艺参数的函数描述CD数据。这允许计算CD统计分布(CDd)的平均值(μCD)和方差(σCD)，并可确定最大C_pk值以及相关工艺参数的值，这些值提供优化的工艺窗口。

主权项

1、一种确定最佳工艺变量设定的方法，该最佳工艺变量设定为光刻制作工艺提供最佳工艺窗口，该光刻制作工艺包括将掩模图形转移到衬底层，该工艺窗口由可控制工艺参数的范围组成，该方法包括如下步骤：-获取具有临界尺寸(CD)的掩模图形特征的聚焦-曝光矩阵的数据集，该特征具有预定设计CD值，该预定设计CD值应当是将特征传递到衬底层上时尽可能接近的CD值，以及-核查所传递的特征的图像是否满足设计容差条件，并确定可控制工艺变量的值的哪种组合提供最接近设计值和最佳工艺范围的CD值，其特征在于核查及确定最佳组合的过程包括如下步骤：1)定义相关工艺变量的统计分布，该分布的参数由对工艺变量的变化进行评估或测量而确定；2)拟合解析模型(CD(E，F))的系数(b1-bn)，该解析模型将CD值描述成工艺变量聚焦(F)和曝光剂量(E)的函数；3)使用步骤1)的解析模型(CD(E，F))计算平均CD值和CD分布的方差；4)定量确定CD分布与预期工艺控制参数Cpk的拟合程度；以及5)通过确定提供最大Cpk值的曝光剂量值和聚焦值，确定设计特征的最佳工艺设定。