[发明专利]半导体器件的阱区有效
| 申请号： | 200380108046.5 | 申请日： | 2003-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN1732571A | 公开（公告）日： | 2006-02-08 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·B·伯尔;迈克·飞尔汗 | 申请（专利权）人： | 全美达股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺;郑特强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供对角深阱区以用于在表面阱区里发送体偏置电压给金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其具有一表面，其特征在于，包括：一第一传导性的第一阱区，其设置在该表面之下；一第一传导性的第二阱区，其设置在该表面之下；及一第一传导性的传导次表面区，其设置在该第一与第二阱区之下，其中该传导次表面区相对于第一与第二阱区对角定位以使在第一阱区与传导次表面区之间形成一第一传导边界及在第二阱区与传导次表面区之间形成一第二传导边界，以在第一与第二阱区之间形成一次表面传导路径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
