[发明专利]用于减少CMOS图像传感器中的暗电流的接地栅极和隔离技术

摘要

本发明提供一种用于隔离半导体器件的区域的隔离方法和器件。隔离结构和方法包括在场隔离区上方并与图像传感器的像素相邻地形成偏置栅极。隔离方法还包括在场隔离区的相当大部分上方形成隔离栅，以便隔离像素阵列中的像素。隔离方法和结构还包括在有源区中形成隔离沟槽，并用含硅的掺杂导电材料填充沟槽。还通过以下步骤提供一种用于隔离所述区域的方法和结构：在衬底的有源区中提供沟槽，在沟槽中生长外延层以填充沟槽或者部分地填充沟槽，并且在外延层上方和沟槽内淀积绝缘材料，从而完全填充沟槽。

主权项

1、一种图像传感器，包括：包含光敏区的像素；与所述像素相邻的隔离区；和设置在所述隔离区上方的隔离栅。