[发明专利]用于铜膜平面化的钝化化学机械抛光组合物有效
| 申请号： | 200380108506.4 | 申请日： | 2003-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1735671A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 刘俊;彼得·弗热施卡;大卫·伯恩哈德;麦肯齐·金;迈克尔·达西罗;卡尔·博格斯 | 申请（专利权）人： | 高级技术材料公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C09G1/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨青;樊卫民 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMP组合物，其含有，例如，与氧化剂，螯合剂，研磨剂和溶剂组合的5－氨基四唑。这种CMP组合物有利地缺乏BTA，并对抛光半导体基材上铜元件的表面是有用的，而不会在抛光的铜中出现下陷或其他不利的平面化缺陷，甚至在CMP加工过程中，在铜/CMP组合物界面，本体CMP组合物有显著水平的铜离子，例如Cu2+存在下。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 平面化 钝化 化学 机械抛光 组合 | ||
【主权项】：
1.CMP组合物，包括5-氨基四唑。
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