[发明专利]半导体器件及其制作方法

摘要

本发明的特征在于：在第1基板上按顺序形成金属膜、绝缘膜和非晶质半导体膜，对上述金属氧化物膜和上述非晶质半导体膜进行结晶化，在将已被结晶化的半导体膜用作有源区形成了第1半导体元件后，在上述第1半导体元件上使用粘接材料粘接支撑体，在上述金属膜与上述绝缘膜之间进行剥离，将第2基板粘接到上述已被剥离的绝缘膜上之后，除去上述第1粘接材料并剥离上述支撑体，在上述第1半导体元件上形成非晶质半导体膜，形成将该非晶质半导体膜用作有源区的第2半导体元件。

主权项

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于：在第1基板上按顺序形成金属膜、绝缘膜和第1非晶质半导体膜，对上述第1非晶质半导体膜进行结晶化，将已被结晶化的半导体膜用作有源区来形成第1半导体元件，在上述第1半导体元件上粘接支撑体，在上述金属膜与上述绝缘膜之间进行剥离，将第2基板粘接到上述已被剥离的绝缘膜上，在剥离了上述支撑体之后，在上述第1半导体元件上形成第2非晶质半导体膜，形成将上述第2非晶质半导体膜用作有源区的第2半导体元件。