[发明专利]缺陷分析仪有效

专利信息
申请号: 200380108597.1 申请日: 2003-11-12
公开(公告)号: CN1735866A 公开(公告)日: 2006-02-15
发明(设计)人: J·特施马;D·E·帕丁;J·E·胡森 申请(专利权)人: FEI公司
主分类号: G06F11/00 分类号: G06F11/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 杨凯;梁永
地址: 美国俄*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提供用于分析诸如半导体晶片之类的对象中的缺陷的方法、装置及系统。在一个实施例中,它提供在半导体制造设备中的制造过程中表征半导体晶片中的缺陷的方法。这个方法包括以下动作。检验半导体晶片以定位缺陷。与已定位缺陷对应的位置则被存储在缺陷文件中。利用来自缺陷文件的信息把双带电粒子束系统自动导航到邻近缺陷位置。缺陷被自动识别,然后获取缺陷的带电粒子束图像。带电粒子束图像则经过分析以表征缺陷。然后,为缺陷的进一步分析确定配方。配方则被自动执行以利用带电粒子束切割缺陷的一部分。切割的部分基于带电粒子束图像分析。最后,对带电粒子束切割所暴露的表面成像,以获得关于缺陷的附加信息。
搜索关键词: 缺陷 分析
【主权项】:
1.一种缺陷表征系统,它提供快速反馈,以便排除故障或改进微加工过程,所述系统包括:用于定位半导体晶片中的缺陷、表征所述缺陷以确定适当分析过程以及自动执行所确定的分析过程的组件。
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