[发明专利]无氮介电防反射涂层和硬掩模无效
| 申请号： | 200380108613.7 | 申请日： | 2003-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1739191A | 公开（公告）日： | 2006-02-22 |
| 发明（设计）人： | B·H·金;S·拉希;S·H·安;C·D·本切尔;Y·M·王;H·马萨德;Y·M·王;H·马萨德;M·D·塞尔维提;M·S·冯;K·B·郑;L·朱 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/027;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了用于沉积介电材料的方法。所述介电材料可被用于防反射涂层或者用作硬掩模。一方面，提供了一种处理衬底的方法，其包括将一种处理气体引入处理腔中，所述处理气体中的化合物包括一种无氧硅烷基化合物以及一种含氧和碳的化合物；并且使所述处理气体反应，从而将无氮介电材料沉积在所述衬底上。所述介电材料包括硅和氧。另一方面，所述介电材料形成双层防反射涂层中的一个或两个层。 | ||
| 搜索关键词： | 无氮介电防 反射 涂层 硬掩模 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理衬底的方法，其包括：沉积第一防反射层；并且通过一种工艺在所述第一防反射层上沉积第二防反射层，所述工艺包括：将一种处理气体引入处理腔中，所述处理气体中的化合物包括一种无氧硅烷基化合物以及一种含氧和碳的化合物；并且使所述处理气体反应，以在所述衬底上沉积无氮介电材料，其中所述无氮介电材料至少包括硅和氧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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