[发明专利]用于生长单晶锭的拉晶机和方法

摘要

本发明公开了一种用于生长单晶锭的拉晶机，包括一紧邻坩埚的用于加热该坩埚的侧面加热器，和一熔体热交换器，该熔体热交换器的尺寸和形状制成用于围绕该晶锭并邻近该熔体的表面设置。该热交换器包括一热源，该热源具有一用于向该熔体辐射热量的面积，以便控制在该熔体的上表面处的传热。该熔体热交换器适于减少在该暴露的上表面部分处的热损失。本发明还公开了用于生长具有预期缺陷特性的单晶硅晶体的方法。

主权项

1.一种根据直拉法生长单晶锭的拉晶机，该拉晶机包括：壳体；位于该壳体内的用于容纳半导体源材料熔体的坩埚，该熔体具有一上表面；邻近该坩埚的用于加热该坩埚的侧面加热器；用于从该熔体的上表面向上拉出生长的晶锭的拉制机构，该熔体的该上表面的一部分在该晶锭生长期间保持暴露，该暴露的上表面部分具有一面积；以及环形熔体热交换器，熔体热交换器的尺寸和形状制成用于围绕该晶锭，并用于邻近该熔体的该暴露的上表面部分设置，该热交换器包括设置成朝向该熔体的该暴露的上表面部分的热源，该热源的用于向该熔体辐射热量的面积的大小制成至少为该熔体的该暴露的上表面部分的面积的30％，用以控制在该熔体的上表面处的传热，该熔体热交换器适于减少在该暴露的上表面部分处的热损失。