[发明专利]具有集成三极管结构的场致发射显示器及其制造方法无效
| 申请号： | 200380108868.3 | 申请日： | 2003-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1739178A | 公开（公告）日： | 2006-02-22 |
| 发明（设计）人： | 李建弘;黄瑄珪;李玉珠 | 申请（专利权）人： | 学校法人浦项工科大学校 |
| 主分类号： | H01J1/30 | 分类号： | H01J1/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种具有集成三极管(triode)结构的场致发射显示器(FED)。可以制造该FED，而无需使用复杂的封装处理，并且具有相当程度缩减的阱直径和相当程度缩减的阴极到阳极间距。在该FED中，前后面板使用阳极绝缘层作为中间体，形成单独的腔体。还提供了一种使用阳极氧化来制造所述FED的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 集成 三极管 结构 发射 显示器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有集成三极管结构的场致发射显示器(FED)，包括：衬底；置于衬底之上的阴极层；栅绝缘层，其置于阴极层之上并具有以规则的图样排列的大量亚微米孔；栅极层，其置于栅绝缘层之上并具有以实质上与栅绝缘层中的亚微米孔相同的图样排列的大量亚微米孔；阳极绝缘层，其置于栅极层之上并具有以实质上与栅绝缘层中的亚微米孔相同的图样排列的大量亚微米孔；发射极，其置于由栅绝缘层、栅极层和阳极绝缘层中的亚微米孔所限定的阱中，并且发射极是附着在阴极层上的；置于阳极绝缘层上的荧光体层；以及置于荧光体层上的阳极层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于学校法人浦项工科大学校，未经学校法人浦项工科大学校许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200380108868.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：制造快闪存储器元件的方法
- 下一篇：一种计算机数据的加密保护及读写控制方法
