[发明专利]保护层的选择性蚀刻无效
| 申请号： | 200380108992.X | 申请日： | 2003-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1739189A | 公开（公告）日： | 2006-02-22 |
| 发明（设计）人： | 孙钟禹;张出河;金正宰;浩司铃木;高志桑原 | 申请（专利权）人： | 赛得里姆显示器公司;三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;关兆辉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种包括在催化剂层上形成的保护层来保护该催化剂层在阴极处理期间或之前免受有害环境条件影响的电子发射设备。本发明还包括半蚀刻处理，其适用于从催化剂层上部分去除保护层，以蚀刻除了碳纤管生长部分之外的催化剂层。部分保护层仍然保留在催化剂层上以保护该催化剂层在下个阴极形成处理中免受有害条件的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 保护层 选择性 蚀刻 | ||
【主权项】：
1.一种在平板显示设备中形成碳纤管的方法，包括：在基片上形成阴极结构，该基片包括：电极发射体，电阻层，阻挡层，催化剂层，电介质层，门控层，在所述门控层上设置的催化剂层，和门控孔；在所述门控孔中和所述门控层上的所述催化剂层上沉积保护性材料；并且在部分蚀刻步骤期间部分去除所述保护性材料以去除在所述门控层上沉积的催化剂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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