[发明专利]改进的浮栅隔离及其制造方法

摘要

本发明涉及形成通过狭缝彼此隔离的浮栅的方法以及使用该浮栅的半导体器件。本发明提供一种在衬底(10)上制造半导体器件的阵列的方法，每个器件都具有浮栅(36)，包括：首先在衬底(10)中形成隔离区(14)，此后在将形成相邻浮栅(36)之间的隔离的位置，在隔离区(14)上形成浮栅隔离物(32)，形成浮栅隔离物(32)之后，在浮栅隔离物(32)的部分之间的衬底(10)上形成浮栅(36)，此后除去浮栅隔离物(32)，以便在相邻浮栅(36)之间得到狭缝。该方法优于现有技术之处在于，出现很少的浮栅材料剩余物，或者在相邻浮栅之间出现很少的浮栅材料短路。此外，对浮栅轮廓的破坏少于现有技术的狭缝加工方法。

主权项

1、一种在衬底(10)上制造半导体器件阵列的方法，每个器件都具有浮栅(36)，包括：-首先在衬底(10)中形成隔离区(14)，-此后在将形成相邻浮栅(36)之间的分隔的位置处，在隔离区(14)上形成浮栅隔离物(32)，-形成浮栅隔离物(32)之后，在浮栅隔离物(32)的部分之间的衬底(10)上形成浮栅(36)，和-此后除去浮栅隔离物(32)，以便得到相邻浮栅(36)之间的狭缝。