[发明专利]旋转检测磁性存储器无效
申请号: | 200380109262.1 | 申请日: | 2003-12-22 |
公开(公告)号: | CN1745430A | 公开(公告)日: | 2006-03-08 |
发明(设计)人: | 维亚谢克拉弗·萨法罗夫 | 申请(专利权)人: | 地中海大学;国家科研中心 |
主分类号: | G11C11/16 | 分类号: | G11C11/16;H01L29/66 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 郭思宇 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本发明涉及配置在半导体结(103)上由2个相邻区形成的旋转检测磁性存储器,第一个(101)和第二个(102)区具有分别为第一和第二类型的电导率;所述存储器包括配置在所述结(103)侧面的第一(110)和第二(120)连接单元,每一个单元装有磁化的模块(111-112,121-122)。至少一个所述单元包括在磁化模块顶部的极化电极(113,123)。 | ||
搜索关键词: | 旋转 检测 磁性 存储器 | ||
【主权项】:
1.一种旋转检测磁性存储器,排布在由两个相邻的区形成的半导体结103上,这两个区即分别呈现第一型和第二型电导率的第一区101和第二区102,并包括配置在所述结103的两侧的第一和第二连接单元110和120,每一个单元提供有磁化模块111-112,121-122,该存储器的特征在于,至少一个单元除了所述磁化模块之外包含偏压电极113,123。
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