[发明专利]半导体装置

摘要

本发明的课题是，在形成了Cu扩散防止膜的微细图案上形成Cu膜的情况下，通过使用超临界状态介质的清洗方法，对被处理基板上的该Cu扩散防止膜表面进行清洗，再使用超临界状态的介质进行Cu膜的成膜，使得Cu膜与微细图案的密合性良好，而且无空隙。本发明使用基板处理方法解决了上述课题，该方法其特征在于，包括：将包含超临界状态介质的第一处理介质供给被处理基板，对被处理基板表面上包含金属的膜进行清洗的第一工序；和将包含上述超临界状态介质的第二处理介质供给上述被处理基板，进行Cu膜成膜的第二工序。

主权项

1.一种基板处理方法，其特征在于，具有：将包含超临界状态介质的第一处理介质供给被处理基板，然后对被处理基板表面上包含金属的膜进行清洗的第一工序；和将包含所述超临界状态介质的第二处理介质供给所述被处理基板，进行Cu膜成膜的第二工序。